Визначення коефіцієнтів підсилення горизонтальних p-n-p транзисторів при підвищеної щільності струму

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorФролов О. М.
dc.contributor.authorСубботкіна О. П.
dc.contributor.authorFrolov Aleksandr
dc.contributor.authorSubbotkina Olena
dc.date.accessioned2023-11-28T08:35:23Z
dc.date.available2023-11-28T08:35:23Z
dc.date.issued2023
dc.descriptionФролов, О. М. Визначення коефіцієнтів підсилення горизонтальних p-n-p транзисторів при підвищеної щільності струму = Determination of gains horizontal p-n-p transistors at elevated current densities / О. М. Фролов, О. П. Субботкіна // Матеріали ХIV міжнар. наук.-техн. конф. "Інновації в суднобудуванні та океанотехніці". – Миколаїв : НУК, 2023. – С. 701–704.
dc.description.abstractОтримані дані дослідження дозволяють визначити коефіцієнти підсилення в залежності від струму, що протикає на ланці зниження коефіцієнту підсилення при великої щільності струму в горизонтальних (латеральних) p-n-p транзисторів.
dc.description.abstract1The obtained research data make it possible to determine the gain factors from the collector current at the gain decay site at high collector current densities for a horizontal (lateral) p-n-p transistor.
dc.identifier.isbn978-966-321-462-7
dc.identifier.urihttps://eir.nuos.edu.ua/handle/123456789/7534
dc.language.isouk
dc.relation.ispartofseriesУДК; 621.382.2
dc.titleВизначення коефіцієнтів підсилення горизонтальних p-n-p транзисторів при підвищеної щільності струму
dc.title.alternativeDetermination of gains horizontal p-n-p transistors at elevated current densities
dc.typeTheses

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Frolov.pdf
Розмір:
408.9 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
4.38 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Матеріали конференцій (АтаЕУ)